宏大目标遭遇现实冷水
近期, 作为韩国总统的李在明, 高高调调地推行了“2030年产能翻倍”计划, 原本人们是将其看作能够重振韩国半导体往日辉煌的关键举措的。这项投资规模一共有800兆韩元, 目标是要在光州以及全罗地带构建起新的存储芯片聚落。
不过, 美国银行所给出的最新报告, 给相关情况浇了一盆冷水, 这份报告表明, 对这一目标能不能达成进行评估, 现在来说还太早, 尽管数字看起来令人咋舌, 可是要是把周期拉长, 它的实际意义或许被高估了, 市场反应速度很快, 全球存储类股票价格跟着大幅下跌。
年增率不及预期的一半
在表面层面来看, 2030年产能实现翻倍的这种情况意味着存在着巨大的扩张力度。然而要是进行深入的计算就会发现, 这仅仅是相当于每年大概15%的复合增长率。从扣除老旧工厂因为技术升级从而闭所导致的产能损失这个方面来说, 实际增速甚至更低。
鉴于制程微缩致使单位面积产能出现减少状况, 实际处于运转状态的晶圆产能扩张率会低于每年10% , 这表明到2030年的时候, 总增长远远无法达成翻倍的原本意图, 这种数学方面的落差, 使得计划的实质效果被大幅削弱了。
供应链透露产能缩水

行业之内所流传出来的信息显得更为悲观, 据了解, SK海力士于2028年时的确实新增产能情形, 或许仅仅是最初所规划目标的六分之一, 这样的一组数据直接表明了执行方面存在的巨大困难状况, 远远超出了外界预先所期待的阻力情况。
三星电子也一样面临着类似的那种挑战, 身为全球DRAM市场当中位居前列的两大巨头, 它们产能扩张的脚步并没有像所宣传的那样呈现出迅猛的态势, 供应链给出的反馈显示, 从规划一直到落地存在着极为严重的信息不对称状况, 实际的产出远远比不上纸面所做出的承诺。
基础设施重建需十年
光州以及全罗地区这会儿的产业结构核心乃是石化与钢铁园区, 并不具备半导体制造所需要的基础设施。要从无到有构建全新的制造生态链, 首要的任务是地基工程, 而这一阶段起码得花费五年时间。
紧接着还得花费三到四年的时长去安装洁净室以及精密设备。整条链条完全构建完成, 所耗费的时间恐怕会超过十年。这样一种物理限制致使在李在明任期结束之前, 根本没办法看到计划的实际性成效, 更多的是属于一种政治宣示。
美光扩产加剧竞争
在这同一时间, 竞争对手美光同样在积极地进行布局活动。在7月初的时候, 美光对外宣布会投入93亿美元于日本扩大HBM的产能规模, 预估在两年之后就能够实现出货。这样的一个举动更进一步地加剧了市场针对供过于求情况的担忧情绪, 从而引发了全球存储芯片价格出现崩跌的风险状况。
处于这样的状况下, 韩国政府激进的目标显得格外突兀, 缺少对全球供需情况格局的冷静评估, 使得铠侠以及闪迪和其他企业的市值随之大幅衰减, 进而引发市场情绪恐慌, 致使投资者对韩国计划的可信程度出现怀疑。
宣示意义大于实际

资深的产业分析师直接表明, 那个计划在李在明的任期以内是很难被完成的, 就目前的情况看起来, 它更多的是用来提升市场信心以及政治形象的, 而并非是切实能够实行的商业蓝图, 这样一种“雷声极大雨点极小”的行为方式, 很有可能会去损害政府在未来的公信力。
当面临严峻的现实考验之时, 韩国半导体产业需求更务实的策略, 盲目地去追求数字方面的翻倍之际, 却忽视了物理以及经济规律, 最终有可能致使资源浪费以及市场动荡, 读者们思索, 韩国政府该如何去调整策略用以应对当前的困境呢?



